晶閘管的開通臨界電流上升率，反映了器件的大電流迅速開通能力。它與器件的開通速度、開通損耗、芯片局部熱分布參數(shù)、熱容量、熱極限承受能力等因素均有關(guān)系。襄樊臺(tái)基公司通過(guò)改善器件的分布式擴(kuò)展門極結(jié)構(gòu)、增強(qiáng)器件局部瞬時(shí)浪涌溫度承受能力，大大提升了器件的di/dt能力。目前主要產(chǎn)品的di/dt指標(biāo)如下：

普通晶閘管系列  （a/μs）    

 

 

 

 

 

 

 高頻、快速晶閘管系列  （a/μs）                         

 

 

 

 

 

 

圖一為y70kkg晶閘管di/dt=1500a/μs測(cè)試時(shí)的電壓和電流波形。

  注：測(cè)試條件                                                  

  芯片結(jié)溫：普通晶閘管：tj=125°c，  高頻、快速晶閘管：tj=115°c

  門極條件：門極電流ig=5igt，  門極上升時(shí)間tr=1μs

 

提高晶閘管的臨界電流上升率，對(duì)于用戶使用有明顯的意義。

1．    晶閘管的高di/dt，可以在許多場(chǎng)合省去了串聯(lián)在晶閘管上的保護(hù)電感線圈，簡(jiǎn)化了整機(jī)設(shè)計(jì)，減小了設(shè)備成本。

2．  在并聯(lián)逆變工作線路中，

晶閘管的高di/dt性能可使設(shè)計(jì)者減小晶閘管的換流時(shí)間，提高設(shè)備的工作頻率。

3．  晶閘管的高di/dt性能可使它方便地應(yīng)用于部分脈沖功率電源領(lǐng)域。

 

1．    晶閘管的di/dt承受能力與其芯片結(jié)溫有直接關(guān)系，di/dt承受能力隨著溫度的上升會(huì)有明顯的下降。因此用戶在使用時(shí)必須保證器件的散熱條件。要求在工作過(guò)程中，普通晶閘管：tj≤125°c，高頻、快速晶閘管：tj≤115°c。

2．晶閘管的di/dt承受能力實(shí)際反映了器件的電流快速開通能力，它受器件門極觸發(fā)條件影響很大。采用上升率極陡的強(qiáng)觸發(fā)脈沖，可以明顯減小器件開通時(shí)間和開通損耗，增強(qiáng)器件di/dt承受能力。我們建議的觸發(fā)脈沖要求為：

觸發(fā)電流幅值：igm=4-10igt

觸發(fā)電流上升時(shí)間：tr小于1μs

3．晶閘管在承受過(guò)高的di/dt時(shí)，會(huì)在其芯片產(chǎn)生局部瞬時(shí)高溫，這種局部瞬時(shí)高溫在長(zhǎng)期工作中會(huì)影響器件的工作壽命。因此，使用者在任何時(shí)候，都應(yīng)保證di/dt不應(yīng)超過(guò)器件生產(chǎn)廠家給出的規(guī)定值，并且留有一定裕量。