高頻微波三極管 BFG425-SOT343R三極管-性插圖真人無遮擋メイリン モデルコレクション メ_蜜臀av一區(qū)二區(qū)精品字幕
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- 13466592802
- 應(yīng)用范圍
- 微波
- 品牌
- 國產(chǎn)
- 型號
- BFG425W-P5
bfg425npn transistor(npn)
microwaveuhf low noise amplifier
npnsilicon epitaxial transistor
簡述：
具有高功率增益放大以及低噪聲特性，大動態(tài)范圍，理想的電流線性；
主要應(yīng)用于超高頻微波無線射頻放大、uhf和衛(wèi)星電視、catv高頻寬帶低噪聲放大器等電路中；
集電極-基極擊穿電壓：bvcbo≥4.5v，Zui大集電極電流：ic≥25ma,集電極功率：pc≥135mw，特征頻率：ft=25ghz；
可替代進口同類型號參數(shù)的高頻微波低噪聲晶體管；
封裝形式：sot-343r,本體印字：p5。
極限參數(shù)（tamb=25℃）：
參數(shù)名稱
符號
額定值
單位
集電極-基極擊穿電壓
bvcbo
9
v
集電極-發(fā)射極擊穿電壓
bvceo
4.5
v
發(fā)射極-基極擊穿電壓
bvebo
1
v
集電極電流
ic
100
ma
耗散功率
pt
135
mw
Zui高結(jié)溫
tj
150
℃
儲存溫度
tstg
-65～+150
℃
電參數(shù)及規(guī)格（tamb=25℃）：
參數(shù)名稱
符號
測試條件
額定值
單位
Zui小值
典型值
Zui大值
集電極-基極擊穿電壓
bvcbo
ic=2.5μa,ie=0 ma
10
-
-
v
集電極-發(fā)射極擊穿電壓
bvceo
ic=1.0ma,ib=0 ma
4.5
-
-
v
發(fā)射極-基極擊穿電壓
bvebo
ie=2.5μa,ic=0ma
1
-
-
v
集電極截止電流
icbo
vcb=4.5v,ie=0ma
-
-
15
na
發(fā)射極截止電流
iebo
veb=1.0v,ic=0ma
-
-
15
na
直流電流放大系數(shù)
hfe
vce=2v,ic=25ma
50
100
120
特征頻率
ft
vce=2v,ic=25ma,f=2ghz
-
25
-
ghz
反饋電容
cre
ie=0ma,vcb=2v,f=1mhz
95
105
-
ff
插入功率增益
∣s21e∣2
ic=25ma,vce=2v,f=2ghz
16
17
-
db
噪聲系數(shù)
nf
vce=2v,ic=2ma,f=900mhz
0.8
db
vce=2v,ic=2ma,f=2ghz
-
1.2
2.0
db
本產(chǎn)品的應(yīng)用范圍是微波，品牌是國產(chǎn)，型號是BFG425W-P5，材料是鍺(Ge)，封裝形式是貼片型,SOT343
微波三極管;高頻三極管;肖特基二極管;超快恢復(fù)二極管;開關(guān)二極管;整流二極管;高頻微波三極管
技術(shù)開發(fā)、轉(zhuǎn)讓；銷售電子產(chǎn)品、機械設(shè)備；維修電子產(chǎn)品、機械設(shè)備；委托生產(chǎn)半導(dǎo)體芯片。(企業(yè)依法自主選擇經(jīng)營項目，開展經(jīng)營活動；依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項目，經(jīng)相關(guān)部門批準(zhǔn)后依批準(zhǔn)的內(nèi)容開展經(jīng)營活動；不得從事本市產(chǎn)業(yè)政策禁止和限制類項目的經(jīng)營活動。
北京鼎霖電子科技有限公司成立于2007年12月，公司的4英寸0.5微米半導(dǎo)體特種工藝生產(chǎn)線，主要從事民用及軍工等特種半導(dǎo)體器件的研制及生產(chǎn)。 該4英寸半導(dǎo)體工藝生產(chǎn)線于2005年引進了STS的深刻蝕與淀積設(shè)備、SUSS的雙面曝光設(shè)備、VALIAN電真空蒸發(fā)設(shè)備、KDF的金屬淀積設(shè)備及離子注入設(shè)備，與國產(chǎn)的清洗、擴散氧化爐管等產(chǎn)品配套，形成了完整的通用及特種半導(dǎo)體器件生產(chǎn)線。已分別生產(chǎn)了肖特基二極管、微波功率器件、快恢復(fù)功率二極管、MEM...