析出強(qiáng)化型銅鐵磷合金，行業(yè)代號(hào) K65，功率器件、分立元件、IC引線框架用量大基材，兼顧中高導(dǎo)電、高強(qiáng)度、耐高溫抗蠕變，適配 SMT 回流焊量產(chǎn)制程。

一、牌號(hào)對(duì)標(biāo)

國(guó)標(biāo)：QFe2.5；美標(biāo) UNS：C19400（ASTM B194）；歐標(biāo)EN：CW107C；德標(biāo)：2.1310/CuFe2P；日標(biāo) C1940、TAMAC194。

化學(xué)成分 (wt%)

Cu 余量≥97%，F(xiàn)e：2.1～2.6%（彌散 Fe-P析出相強(qiáng)化），P：0.015～0.15%（脫氧細(xì)化晶粒），Zn≤0.2%、Pb≤0.03%，雜質(zhì)總量≤0.3%，RoHS環(huán)保合規(guī)。

二、核心理化參數(shù)（引線框架常用全硬 SH/ESH 態(tài)）

1. 導(dǎo)電率 60～70% IACS，遠(yuǎn)優(yōu)于 C5191 磷青銅，芯片大電流導(dǎo)通發(fā)熱低、導(dǎo)電損耗小，導(dǎo)熱290～320W/(m?K)，器件散熱優(yōu)良；

2. 抗拉 520～620MPa，HV155～180，屈服≥450MPa，框架引腳定型不易彎折變形，抗蠕變優(yōu)異；

3. 軟化溫度≈400℃，耐受 SMT 峰值 260℃回流焊，高溫封裝后尺寸不變、引腳不翹曲，抗應(yīng)力松弛優(yōu)于普通磷銅；

4. 密度 8.91g/cm3，熱膨脹系數(shù) 16.3×10??/K，和硅芯片熱脹匹配，封裝減少開裂、氣密性好；

5. 蝕刻、電鍍性能突出，鍍鎳、鍍錫鍍層致密附著力強(qiáng)，適配引線框架半蝕刻精密加工。

三、引線框架選材五大優(yōu)勢(shì)

1. 高溫制程穩(wěn)定：回流焊無軟化塌腳，TO-220、SOP、QFN 批量封裝良品率高；

2. 沖壓成型優(yōu)良：0.08～1.2mm 超薄銅帶高速?zèng)_裁少毛刺、不開裂，適配微型密腳框架；

3. 鍵合性能佳：銅線 / 金線鍵合牢靠，是功率 MOS、三極管支架主力用材；

4. 性價(jià)比突出：成本低于 C7025 銅鎳硅，通用功率器件替代料；

5. 耐蝕抗氧化：潮濕車載、工控環(huán)境引腳不易發(fā)黑，長(zhǎng)期使用接觸電阻穩(wěn)定。

四、細(xì)分應(yīng)用

1. 半導(dǎo)體封裝：TO247/TO220 功率管框架、SOP/DIP 集成電路引線架、LED 大功率支架、IGBT貼片引腳；

2. 車載電子：汽車功率保險(xiǎn)端子、電控連接器插片、車載 IC 封裝骨架；

3. 電器元件：空開接線端子、繼電器導(dǎo)電彈片、電源模塊導(dǎo)電引腳。

五、同系材料橫向?qū)Ρ?/h2>

1. 對(duì)比 C19210 (K80/KFC，CuFe0.1P)：C19210 導(dǎo)電 85～90%IACS、強(qiáng)度偏低，側(cè)重小信號(hào)超薄引線架；CuFe2P 強(qiáng)度提升 30%，主打大功率、厚料框架；

2. 對(duì)比 C7025 銅鎳硅：C7025 導(dǎo)電 45% IACS、彈性更強(qiáng)，高端射頻端子；CuFe2P導(dǎo)電更高、成本更低，通用功率引線框架；

3. 對(duì)比 C5191 磷銅：導(dǎo)電、耐熱、抗松弛全面優(yōu)于磷銅，中高端框架批量替換磷青銅用料。